2026-10-07 08:00
瑞萨扩充GaN产品组合，推出面向AI与机器人的100V功率晶体管
新的低压 GaN FET为人工智能数据中心和工业系统提供更快的切换,更好的热性能和更高的功率密度. 雷纳斯电子公司 (TSE:6723),先进的半导体解决方案的主要供应商,通过其第一个100V增强模式 (E-模式) 基于GaN的单独电源晶体管,扩大了GaN组合到低电压应用中.RTP100E005G1FL,RTP100E2P6G1FL,RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低电压GaN FET在高功率密度应用中提供超快转换速度和增强热性能,包括AI数据中心,XZTERMA
