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瑞萨扩充GaN产品组合,推出面向AI与机器人的100V功率晶体管
Renesas
2026-10-07

瑞萨扩充GaN产品组合,推出面向AI与机器人的100V功率晶体管

新的低压 GaN FET为人工智能数据中心和工业系统提供更快的切换,更好的热性能和更高的功率密度.
Image Courtesy: Public Domain

雷纳斯电子公司 (TSE:6723),先进的半导体解决方案的主要供应商,通过其第一个100V增强模式 (E-模式) 基于GaN的单独电源晶体管,扩大了GaN组合到低电压应用中.RTP100E005G1FL,RTP100E2P6G1FL,RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低电压GaN FET在高功率密度应用中提供超快转换速度和增强热性能,包括AI数据中心,XZTERMAAAA机器人,工厂自动化和工业电机驱动器,电力工具和太阳能驱动器.

新的GaN FET实现行业领先的硬和软交换功率 (FOM) 性能,比比较的GaN设备提供高达 35%的低硬交换功率 (FOM) 和高达 63%的低软交换功率 (FOM).

今天的数据中心中的电源转换器通常以几百千赫兹的交换频率运行.但随着人工智能服务器和工业基础设施过渡到800VDC电源配送和48V公共汽车架构,许多转换器阶段正朝着缩小磁力,增加电源密度和提高整体效率的转换方向发展.

在800V高压直流 (HVDC) 电源架构中使用低压GaN简化了电源转换设计,显著降低了被动组件尺寸,切换损失和冷却要求.在系统层面上,这意味着更高的效率,更少的热管理要求以及更低的能源和BOM成本.

广泛的GaN投资组合提高效率,电力密度和设计灵活性

基于Renesas最近扩大的低压E-mode GaN技术平台,该新晶体管组合具有超快的GaN开关,低总门电荷 (Qg) 和输出电荷 (Qoss) 降低电压和电流之间的重叠.它减少了人工智能电源单元,电动驱动器和DC电源阶段的每个转换周期中丢失的能量.这些设备还提供零逆回收 (Qrr = 0),从而消除了直接开关效率增长的能量损失.

快速开关通过缩小PCB足迹和减少磁力和被动组件的尺寸来提高功率密度,并产生更高频率的操作,而低RDS(on) 通过减少导电损失提高了运行效率.可用的底部和双侧冷却配置提供了额外的散热和设计灵活性.取决于应用要求和功率转换架构,低电压GaN设备可以实现高达4070%的更低开关损失,并在系统水平上高达两倍的功率密度.

新的GaN晶体管以多种标准MOSFET兼容的包装提供,使客户能够快速从MOSFET布局迁移到更快的设计实现,而无需显著的PCB重复工作.这些包装选项,结合广泛的RDS (RDS) 范围 (5mΩ-1.2mΩ),使设计师能够跨越功率水平和应用,包括同步纠正,多相 Buck转换和发动机驱动.

"采用下一代GaN技术用于人工智能服务器,机器人,工业发动机驱动器和可再生能源系统的客户正在寻找如何从日益紧的系统中提供更高效的电力转换性能, 阿希尔·纳伊尔,雷纳萨斯低压GN高级董事. "我们的低压 GaN 系列提供了设计师从 GaN 预期的效率,交换性能和功率密度,同时使过渡从现有的MOSFET 设计更加容易.

在相容的足迹中高GAN性能

新的GaN家族基于E模式 (通常不使用) 的GaN技术,该技术提供了GaN的性能优势.这有助于设计师捕获GaN的效率和功率优势,并简化了从现有的基于的设计迁移.

新低电压GaN家族的主要特点

  • 与型设计相比,效率提高1~3%,消除Qrr损失
  • 转换损失大幅减少40%至70%
  • 通过减少每周期的切换能量和支持高频运行,加倍功率密度
  • 更小的系统足迹,更高的交换频率,降低磁力大小,降低整个系统损失
  • 优化热管理降低风扇和活性冷却需求,降低系统复杂性和BOM成本

此外,由于其每个功率阶段的总能耗较低,新的GaN家族帮助设计师实现可持续性目标.这通过减少对热和空气流管理所需的风扇大小,实现更小的磁力使用和缩小整体PCB足迹,从而促进人工智能数据中心和工业能源效率目标.

可用性

新的 低电压 GaN功率晶体管 更多有关这些设备和开发工具的信息可在下面找到: 其他国家:.

获胜的组合

新的低电压 GaN 石油和石油能轻松与其他Renesas功率参考设计集成,包括 6 kW 800V至 48V DCX LLC解决方案 和 工业直流服务平台这些获胜组合是技术验证的系统架构,由相互兼容的设备组成,它们无协作,以实现更快的市场上优化,低风险的设计.400多种获胜组合,包括Renesas产品组合的广泛产品,使客户能够加快设计过程并更快地将产品上市. 收购资金.

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来源:Robotics Business News

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